作为拓扑平带平台的外延 Kagome 薄膜
材料科学
2023-10-16 v1 强关联电子
摘要
具有平带的体系是研究强关联电子态及相关现象的理想系统。其中，诸如 CoSn 等 kagome 结构金属因平带与费米面邻近而被视为有前景的候选者。下一步关键是实现具有平带的外延 kagome 薄膜，从而通过静电门控或应变调控费米面附近的平带。在此，我们报道直接在绝缘衬底上生长的外延 CoSn 薄膜的能带结构。利用基于同步辐射的角分辨光电子能谱（ARPES）观测到了平带。该能带结构与密度泛函理论（DFT）计算一致，且输运性质可由能带结构与半经典输运理论定量解释。我们的工作为通过精细调控 kagome 材料中的平带来实现平带诱导现象铺平了道路。
引用
@article{arxiv.2307.15828,
title = {Epitaxial Kagome Thin Films as a Platform for Topological Flat Bands},
author = {Shuyu Cheng and M. Nrisimhamurty and Tong Zhou and Nuria Bagues and Wenyi Zhou and Alexander J. Bishop and Igor Lyalin and Chris Jozwiak and Aaron Bostwick and Eli Rotenberg and David W. McComb and Igor Zutic and Roland K. Kawakami},
journal= {arXiv preprint arXiv:2307.15828},
year = {2023}
}
备注
30 pages, 12 figures