半导体微腔中受迫耦合量子阱的光子强度增强
混沌动力学
2015-06-15 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们数值研究了在周期外力作用下，包含N≥2个量子阱的半导体微腔的光子发射。发射由外力与阱间内部相互作用的竞争决定。外力同步周期运动，而内部相互作用破坏同步。哈密顿量的非线性项支持同步。数值结果显示，当量子阱数量不太大时，在某个临界外力值处光子强度跃升至非常大值。我们讨论了系统通过这一转变的动力学。
引用
@article{arxiv.1302.3959,
title = {Enhancement of photon intensity in forced coupled quantum wells inside a semiconductor microcavity},
author = {Hichem Eleuch and Awadhesh Prasad and Ingrid Rotter},
journal= {arXiv preprint arXiv:1302.3959},
year = {2015}
}
备注
To be appeared in Phys. Rev. E