强磁场下强耦合 N=4 SYM 等离子体中热光子和双轻子产生的增强

我们利用引力对偶，采用 RG 流方法和膜范式（两者给出相同结果），计算了存在强外磁场 $B \gg T^2$ 时强耦合 $N=4$ 超杨 - 米尔斯 (SYM) 等离子体的直流电导率张量。我们发现，由于磁场 $B$ 在等离子体中诱导了各向异性，直流电导率张量的不同分量具有不同的大小，具体取决于其分量是否沿磁场 $B$ 方向。特别是，我们发现沿磁场 $B$ 方向的直流电导率张量分量随 $B$ 线性增加，而其他分量（不沿磁场 $B$ 方向的分量）则与其无关。这些结果与外磁场 $B$ 下 QCD 等离子体直流电导率张量的格点计算结果一致。利用直流电导率张量，我们计算了在强外磁场 $B \gg T^2$ 存在下，强耦合 $N=4$ SYM 等离子体的软或低频热光子和双轻子产生率。我们发现，强磁场 $B$ 增强了强耦合 $N=4$ SYM 等离子体的热光子和双轻子产生率，这与重离子碰撞实验中观察到的增强现象在定性上一致。