Bernal双层石墨烯与WSe$_2$耦合中通过虚隧穿增强超导性
超导电性
2022-11-04 v3 介观与纳米尺度物理
材料科学
摘要
受近期实验[arXiv:2205.05087]启发，我们研究了空穴掺杂Bernal双层石墨烯因邻近WSe单层而增强超导性的一种可能机制。我们表明，已知会诱导伊辛自旋轨道耦合的WSe与Bernal双层石墨烯之间的虚隧穿，能够在两个空穴间产生额外的吸引，为Bernal双层石墨烯中超导性增强提供了一种潜在解释。利用微观层间隧穿，我们推导了伊辛自旋轨道耦合和有效吸引作为Bernal双层石墨烯与WSe单层之间扭转角的函数。我们的理论为伊辛自旋轨道耦合与超导性增强之间的交织关系提供了直观且物理的解释，应能促进未来的研究。
引用
@article{arxiv.2206.09922,
title = {Enhanced superconductivity through virtual tunneling in Bernal bilayer graphene coupled to WSe$_2$},
author = {Yang-Zhi Chou and Fengcheng Wu and Sankar Das Sarma},
journal= {arXiv preprint arXiv:2206.09922},
year = {2022}
}
备注
6+13 pages, 5+4 figures. Published version