W/Sr$_{2}$RuO$_{4}$ 点接触界面处的增强超导性

对沿 $c$ 轴方向逼近的钨针尖与 Sr$_{2}$RuO$_{4}$ 单晶的 $ab$ 面之间的点接触（PCs）进行了微分电阻测量。发现了三个关键特征。首先，在 0.2 mV 以内，由于正常-超导界面处的 Andreev 反射，出现了穹顶状的电导增强。通过进一步推入 W 针尖，电导增强从 3% 增加到超过 20%，远大于先前报道的值，可能是由于针尖施加的压力。其次，在高于 0.2 mV 的偏置下也存在类超导特征，其持续至 6.2 K，类似于块体 Sr$_{2}$RuO$_{4}$ 晶体在单轴压力下的增强超导性，但此处更为显著。第三，对数背景可以用 Altshuler-Aronov 的隧穿进入准二维电子系统理论拟合，这与 Sr$_{2}$RuO$_{4}$ 中高度各向异性的电子系统一致。