Si_nGe_m 纳米簇中的增强辐射跃迁
材料科学
2009-11-10 v1
摘要
使用 ab-initio 分子动力学方案(Fireball方案)，我们确定了中间尺寸 Si_nGe_m (n+m=71) 纳米簇在表面加/不加氢饱和情况下的平衡结构。由于强烈的表面畸变，发现缺陷态渗透到 Si_nGe_m 簇的能隙中。然而，通过在 Si_nGe_m 簇表面添加 H 原子可消除缺陷态，能隙打开至几个电子伏特，表明光致发光发生蓝移。还发现相对于相应的纯 Si 簇，Si_nGe_m 纳米簇中 HOMO 和 LUMO 态之间的辐射跃迁被放大了一个数量级到两个数量级。这种发射概率的显著增加归因于 HOMO 和 LUMO 波函数在 Ge 原子上主要集中且重叠较强。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0304025,
title = {Enhanced Radiative Transition in Si_nGe_m Nanoclusters},
author = {Ming Yu and C. S. Jayanthi and David A. Drabold and S. Y. Wu},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0304025},
year = {2009}
}
备注
6 figures