等离子体金属-绝缘体-金属结构中掺铒氮化硅的增强光发射
光学
2015-05-14 v2
摘要
我们在掺铒氮化硅层上制备了金属-绝缘体-金属结构中的等离子体光栅和纳米粒子阵列。这种材料体系使得结构制备变得简单，因为活性氮化物层可以直接在金属上生长。在共振条件下，观测到收集到的发射增强高达12倍，同时存在宽带的非共振增强。我们研究了光栅和纳米粒子阵列的输出偏振行为，并将其与等离子体共振相匹配，还讨论了耦合模式随粒子间距变化的行为。
引用
@article{arxiv.0908.3901,
title = {Enhanced Light Emission from Erbium Doped Silicon Nitride in Plasmonic Metal-Insulator-Metal Structures},
author = {Yiyang Gong and Selcuk Yerci and Rui Li and Luca Dal Negro and Jelena Vuckovic},
journal= {arXiv preprint arXiv:0908.3901},
year = {2015}
}
备注
9 pages, 6 figures updated because pdf was still non-functional