量子临界涨落对杂质散射的增强效应
强关联电子
2009-11-07 v1
摘要
在对临界涨落的第一阶扰动展开中，本文表明临界涨落会导致非磁性杂质势散射的增强。这定性地解释了在量子临界点附近观察到的杂质引起电阻增强，而更高阶过程根据韦尔德恒等式的论证会产生更大的增强效应。本文明确讨论了动力学临界指数 =2 和 =3 的情况。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0110174,
title = {Enhanced Impurity Scattering due to Quantum Critical Fluctuations},
author = {Kazumasa Miyake and Osamu Narikiyo},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0110174},
year = {2009}
}
备注
Submitted to J. Phys. Soc. Jpn. on 27 September, 2001