利用过渡金属原子晶格工程化SiC上的关联Dirac费米子与平坦带
强关联电子
2024-10-23 v1
摘要
我们提出了三种过渡金属原子体系置于3C-SiC(111)表面，以实现无质量Dirac费米子和强电子关联的平坦带。运用密度泛函理论结合约束随机相位近似和动态均匀场理论，研究了Ti、V、Cr原子原子的电子性质。三角形表面晶格表现出窄带宽和靠近费米能级的有效双能带Hubbard模型，源于原子d轨道中部分填满且局域化的轨道。我们的研究揭示了从平坦带费米流形（Cr）经参数磁Mott绝缘体（V）到临近重型Dirac半金属（Ti）的材料趋势，展现了这些强关联系统的多样性。具体而言，Cr和受应变金属Ti晶格中的平坦带与明确的Dirac锥表明其在实现拓扑和关联相方面具有高度潜力。
引用
@article{arxiv.2410.17165,
title = {Engineering correlated Dirac fermions and flat bands on SiC with transition-metal adatom lattices},
author = {Henri Menke and Niklas Enderlein and Yi-Ting Tseng and Michel Bockstedte and Janina Maultzsch and Giorgio Sangiovanni and Philipp Hansmann},
journal= {arXiv preprint arXiv:2410.17165},
year = {2024}
}