面向电信波段量子技术的硅碳化物中氯基发射器的工程化
量子物理
2026-01-13 v1
摘要
我们报告了氯-空位（ClV）颜色中心在 4H-SiC 中发射于光纤电信波段的实验实现与光学表征。通过氯离子植入后进行高温退火制造。光致发光光谱显示四种不同的 ClV 配置，其零光子线（ZPL）位于 O 波段（1260-1360 nm）、S 波段（1460-1530 nm）和 C 波段（1530-1565 nm）。受控植入和退火实验确认 ClV 中心确实来源于氯离子嵌入 SiC 而非该物料的本征缺陷。我们优化了 ClV 集 Ensemble 的创建条件，证明在最高可达 30 K 的温度下，ZPL 感光度几乎不减弱。这些结果将 ClV 缺陷确立为一种在 CMOS 兼容平台上具有强大潜力的新型电信波段颜色中心，为可扩展的量子网络提供了可能。
引用
@article{arxiv.2510.25008,
title = {Engineering chlorine-based emitters in silicon carbide for telecom-band quantum technologies},
author = {A. N. Anisimov and A. V. Mathews and K. Mavridou and U. Kentsch and M. Helm and G. V. Astakhov},
journal= {arXiv preprint arXiv:2510.25008},
year = {2026}
}
备注
7 pages, 5 figures