非共振光诱导的拓扑相变与半-Dirac材料的热电输运

我们表明,具有反演对称性破缺质量的半-Dirac（SD）系统在受离共振光照射时会发生拓扑相变。利用Floquet理论,我们推导了能带结构、Chern数、相图,并指出随光强度在固定质量下扫描时,SD系统经历正常-Chern-正常绝缘体相变。沿相边界观察到单半-Dirac-锥（SSDC）半金属性态,其中一个SD锥是无带隙的,而另一个是有带隙的。非平凡的Berry曲率分布$\Omega(\mathbf{k}) \neq -\Omega ( - \mathbf{k})$产生轨道磁化$M$和异常内尔斯（$\alpha_{xy}$）和热霍尔（$\kappa_{xy}$）导电率。我们表明,$M$在费米能级$E_F$扫描绝缘隧穿时保持恒定,但在Chern绝缘体相中随其线性变化,如预期。正常绝缘体相中,$\alpha_{xy}$表现出一个凹-峰型轮廓,而在CI相中则相反。我们还发现,无论拓扑相如何,都将光的圆偏振从左向右切换,都会引起$M$、$\alpha_{xy}$和$\kappa_{xy}$的符号变化,从而允许逆转横向电荷和热流的方向。进一步地,我们评估了电荷（$\sigma_{aa}$）、热电（$\alpha_{aa}$）和热（$\kappa_{aa}$）导电率张量的分量（$a=x, y$），并检查了光对它们的影响。对于沿$y$方向具有线性色散的系统,我们发现$\alpha_{yy}$和$\kappa_{yy}$显著大于$\alpha_{xx}$和$\kappa_{xx}$,因为$\frac{v_y^2}{v_x^2}$较大。