元素掺杂增强非晶 PtSn4 Dirac 半金属中的电荷-自旋转换效率
材料科学
2022-02-04 v1
摘要
拓扑半金属（TSs）因较大的电荷-自旋转换效率而成为低功耗自旋轨道转矩（SOT）器件的有前途候选。本文研究了室温下磁控溅射制备的非晶 PtSn4（5 nm）/CoFeB（2.5-12.5 nm）层状结构的电荷-自旋转换效率。PtSn4/CoFeB 双层膜的电荷-自旋比为 0.08，由自旋转矩铁磁共振（ST-FMR）技术表征。该比值可通过向 PtSn4 中引入如 Al 与 CoSi 等掺杂剂进一步增至 0.14。掺杂剂还可降低（Al 掺杂）或升高（CoSi 掺杂）PtSn4 的电阻率。本工作提出了一种用掺杂剂增强非晶 TSs 中自旋轨道耦合（SOC）的途径。
引用
@article{arxiv.2202.01384,
title = {Element Doping Enhanced Charge-to-Spin Conversion Efficiency in Amorphous PtSn4 Dirac Semimetal},
author = {Jinming Liu and Yihong Fan and Delin Zhang and Onri J. Benally and Lakhan Bainsla and Thomas Peterson and Jian-Ping Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2202.01384},
year = {2022}
}
备注
18 pages, 5 figures