双圈阶下对第四代的电弱约束
高能物理 - 唯象学
2013-07-23 v2 高能物理 - 实验
摘要
如果126 GeV的类希格斯粒子是标准模型希格斯玻色子，那么SM4（标准模型最简单的四代扩展）与最新的LHC数据不一致。然而，如果新粒子不是标准模型希格斯玻色子和/或如果其他新量子修正其产生和衰变率，则4G变体（BSM4）是可能的。由于LHC搜索已将4G夸克推向高质量和强耦合区域，在那里微扰理论最终失效，我们检查了双圈阶下主要的非退耦电弱修正，以估计微扰理论的适用范围。我们发现，双圈超荷修正（在之前的4G模型电弱拟合中未被包含）对rho参数做出了最大的夸克扇区贡献，甚至远大于名义上领先的单圈项。由于它大且为负，对电弱拟合有很大影响。它并不使微扰理论失效，因为它仅在双圈阶首次出现，并且由于它不像单圈项那样在夸克双重态质量相等时消失，所以很大。我们估计微扰理论在 GeV时有用，但在 GeV时开始变得边缘。结果直接适用于保留SM希格斯扇区的BSM4模型，但必须对非SM希格斯扇区重新评估。
引用
@article{arxiv.1212.3209,
title = {Electroweak Constraints on the Fourth Generation at Two Loop Order},
author = {Michael S. Chanowitz},
journal= {arXiv preprint arXiv:1212.3209},
year = {2013}
}
备注
Updated to published version: small changes in text, a few additional references