完全辐射电弱对称破缺下的小希格斯模型约束

在近期的一篇论文中，我们引入了一个新的小希格斯模型，其包含嵌入于近似全局 $SO(5)\times SO(5)$ 对称性中的规范结构 $SU(2)^3\times U(1)$。在破缺至标准模型 $SU(2)_L \times U(1)_Y$ 后，该模型产生两个重 $Z^\prime$ 玻色子和两个重 $W^{\prime\pm}$ 玻色子，以及一个类标准模型的希格斯标量。该模型的独特之处在于，完全可以通过对希格斯有效势的微扰圈贡献来获得电弱对称破缺和轻希格斯质量。在本文中，我们考虑了该模型所受的电弱约束，包括对普适倾斜和非倾斜参数的树图及圈图贡献、对 $ZWW$ 顶点的树图修正，以及对 $Zb\bar{b}$ 的树图和圈图修正。最显著的修正是对 $\hat{S}$ 的正向树图修正和对 $\hat{T}$ 的负向费米子圈修正，这要求全局对称性破缺的能标 $\gtrsim2$ TeV，具体取决于顶夸克混合参数和额外规范耦合。此外，对 $Zb\bar{b}$ 的圈修正包含发散，必须被理论中一个新算符的系数所吸收。然而，该 $Zb\bar{b}$ 修正的有限部分可以忽略不计。