格点上的电弱箱图对π介子与中子衰变的研究

在标准模型(SM)中,CKM矩阵按构造是幺正的。近期对CKM矩阵第一行的分析显示出与幺正性约$3\sigma$的张力。辐射修正的非微扰计算可降低CKM矩阵元中的理论不确定性。本文利用七组具有不同π介子质量和格距的$N_f=2+1+1$ HISQ-Clover格点,计算电弱箱图对π介子和K介子$\beta$衰变的贡献。利用对$M_\pi$和$a$的领头依赖关系取连续极限与手征极限,其中$M_\pi$外推分别对π介子和K介子箱图贡献取至物理π介子质量和$SU(3)$对称质量。我们的结果为$\square_{\gamma W}^{VA} |_{\pi} = 2.820 (28) \times 10^{-3}$和$\square_{\gamma W}^{VA} |_{K} = 2.384 (17) \times 10^{-3}$。