在拉长硅量子点中电子 Wigner 分子聚合物链及有限长度量子线

我们利用新开发的 valley-增强单束哈密顿（va-UHF）方法，研究了局限于硅量子比特之间、类一维拉长量子点（EQD）中电子的光谱特性。该方法将山 valley 作为 isospin 加以考虑，使能够处理大量电子的计算成为可能。自洽广义 Pople-Nesbet 方程的低能对称性破缺解表现出，当局域性被建模为实验制造的结构时，会形成 Wigner 分子聚合物（纵向）链，这通过电子在有限长度类一维导线边缘的电荷积聚而启动。随着装入局域性的电子数目增加，形成越来越多平行锯齿链，新的链的形成由横向谐振约束的强度决定。随后由量子力学必需的 parity 恢复所增强的对称性恢复 va-UHF 解，超越了 va-UHF 单-配置解，预测形成的纠缠 Wigner 分子链，其电荷分布消解了破对称解中的锯齿组织。这种对称性恢复的 va-UHF 方法使得能够系统地研究面向未来成像显微实验（如硅中或其他材料中的 1D 域壁，如 TMDC 材料）以及量子信息应用的多电子复杂纳米尺度局域结构。