少层石墨烯石墨烯的电子输运与反超-Klein 隧穿
介观与纳米尺度物理
2025-07-09 v1
摘要
本文理论性地研究了少层石墨烯石墨烯 (FLBP) 纳米带的电子输运。该系统基于最近由 -ARPES 实验测得的能带结构进行建模。我们表明，FLBP 的各向异性能带导致高度各向异性的输运特性；尽管沿一个方向的电流可以相当聚焦，但在正交方向上可能呈现强烈的离散。低能电流主要由位于中心层承载，因为电子在垂直方向受到限制。在 FLBP pn 结中，由于栅极电容在系统特定区域施加的静电势，电子通过该结的界面，如果该结沿 FLBP 的锯齿方向取向。在结被旋转 90 度并沿 armchair 方向取向时，对于所有入射角以及宽范围电子能量，电流会被完全反射。这种全向总反射称为反超-Klein 隧穿，因为它源于 pn 结两个区域电子的相反准自旋。考察了 FLBP pn 结顶层氧化的效应，发现尽管顶层电流强烈抑制，反超-Klein 隧穿仍然存在。
关键词
引用
@article{arxiv.2507.05462,
title = {Electronic transport and anti-super-Klein tunneling in few-layer black phosphorous},
author = {Jorge Alfonso Lizarraga-Brito and Armando Arciniega-Gutiérrez and Yonatan Betancur-Ocampo and Thomas Stegmann},
journal= {arXiv preprint arXiv:2507.05462},
year = {2025}
}
备注
11 pages, 11 figures