SLSiN 在电荷密度调制下的电子结构
材料科学
2025-07-23 v1
摘要
我们对 SLSiN（单层 SiN）的电子结构进行了第一性原理密度泛函理论计算，以评估单位胞电荷的递增变化对其电子行为的影响。网格每胞的净电荷系统地调制从 （中性/参考配置）到 个基本电荷，对于每种带电配置均在 PBE 级别评估了能带结构和态密度。在其中性状态下，SLSiN 表现出零电负性，这标志着其对额外电子密度的无感以及在异质结构中具备的内在稳定性。总体而言，这些结果表明，精确控制电荷密度可以将 SLSiN 推动跨越绝缘体到金属相变。
引用
@article{arxiv.2507.15883,
title = {Electronic structure of SLSiN under charge density modulation},
author = {Ashkan Shekaari},
journal= {arXiv preprint arXiv:2507.15883},
year = {2025}
}