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石墨烯的电子结构:(近)自由电子能带与紧束缚能带的比较

介观与纳米尺度物理 2017-09-26 v4

摘要

在我们之前的论文(Phys. Rev. B {\bf 89}, 165430 (2014))中,我们发现石墨烯中与四个占据能带不同,这四个能带可以通过每个原子包含四个原子轨道的简单紧束缚模型(TBM)来描述,而位于 Γ\Gamma 点处的两个最低未占据能带(其中一个为 σ\sigma 型,另一个为 π\pi 型)无法用该模型描述。在本文中,我们基于(近)自由电子模型(FEM)为这两个能带提出了一个极简模型,该模型正确描述了这些能带的对称性、色散规律以及它们相对于石墨烯平面的局域化。

关键词

引用

@article{arxiv.1610.03815,
  title  = {Electronic structure of graphene: (nearly) free electrons bands vs. tight-binding bands},
  author = {E. Kogan and V. M. Silkin},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1610.03815},
  year   = {2017}
}

备注

LaTeX, 8 pages, 18 eps figures. As accepted for publication in PSSb