利用 F4-TCNQ 修饰硅纳米晶的电子结构
材料科学
2013-08-05 v1
摘要
我们利用第一性原理模型展示了有机氧化剂 F4-TCNQ（7,7,8,8-四氰基 -2,3,5,6-四氟对苯醌二甲烷）如何修饰硅纳米晶的电子结构，表明其可能增强 p 型载流子密度和迁移率。F4-TCNQ 的最低未占据能级与硅纳米晶的最高占据能级的接近促进了重叠纳米晶和分子的空杂化态的形成，将真空中的激发能降低至约 0.8-1 eV。因此，建议 F4-TCNQ 既可用作表面氧化剂，也可作为相邻纳米晶之间空穴跳跃的介质。
引用
@article{arxiv.1308.0444,
title = {Electronic structure modification of Si-nanocrystals with F4 -TCNQ},
author = {A. Carvalho and J. Coutinho and M. Barroso and E. L. Silva and S. Oberg and M. Rayson and P. R. Briddon},
journal= {arXiv preprint arXiv:1308.0444},
year = {2013}
}