慢质子在氧化物中的电子阻止本领：标度特性
材料科学
2017-10-24 v1
摘要
实验研究了慢质子在 ZnO、VO2（金属相和半导体相）、HfO2 和 Ta2O5 中的电子阻止本领。与 Al2O3 和 SiO2 数据的比较显示，慢质子的电子阻止本领并不与特定材料的电子特性（如带隙能量）相关。相反，氧 2p 态是决定性的，这一点得到了电子态密度的密度泛函理论计算的证实。因此，在低离子速度下，氧化物的电子阻止截面主要与其氧密度成比例。
引用
@article{arxiv.1710.07994,
title = {Electronic Stopping of Slow Protons in Oxides: Scaling Properties},
author = {D. Roth and B. Bruckner and G. Undeutsch and V. Paneta and A. I. Mardare and C. L. McGahan and M. Dosmailov and J. I. Juaristi and M. Alducin and J. D. Pedarnig and R. F. Haglund, and D. Primetzhofer and P. Bauer},
journal= {arXiv preprint arXiv:1710.07994},
year = {2017}
}