弯曲少层石墨烯的电子性质：一种几何方法
介观与纳米尺度物理
2018-04-17 v2 材料科学
广义相对论与量子宇宙学
高能物理 - 理论
摘要
我们展示了在具有 AB 堆垛的平坦三层和四层石墨烯中存在非相对论 L\'evy-Leblond 费米子，扩展了 [Curvatronics2017] 中针对双层石墨烯获得的结果。当层弯曲时，我们得到一组伽利略费米子的方程，它们是 L\'evy-Leblond 方程的变体，具有明确定义的赝自旋组合，并且在适当极限下以 L\'evy-Leblond 旋量作为解。此类伽利略费米子的局域能量对表面的内禀曲率敏感。我们讨论了标记层自由度的二维赝自旋与不同能带之间的关系。对于 L\'evy-Leblond 费米子，给出了在有效 4D 时空中的无质量费米子解释，并且在这种情况下赝自旋与四维手性相关。对于具有正曲率的表面，在导带和价带之间获得了非零能带隙。
引用
@article{arxiv.1801.04194,
title = {Electronic properties of curved few-layers graphene: a geometrical approach},
author = {M. Cariglia and R. Giambò and A. Perali},
journal= {arXiv preprint arXiv:1801.04194},
year = {2018}
}
备注
16 pages, 4 figures. Matches the published version. Refined theory that describes the unique combination of isospin states ocurring in curved bilayer graphene sheets