三层铜基超导体中高Tc最大化与持续性的电子起源
超导电性
2024-01-17 v1 强关联电子
摘要
在高温铜基超导体中，研究发现超导转变温度Tc依赖于结构单元中CuO2面层数(n)，且最大Tc在三层体系(n=3)中实现。还发现三层超导体表现出异常的相图：在过掺杂区Tc几乎保持恒定，这与其他铜基超导体中通常出现的Tc下降形成强烈对比。三层超导体中Tc最大化的电子起源及其在过掺杂区高Tc持续性的原因仍不清楚。通过高分辨率基于激光的角分辨光电子能谱（ARPES）测量，我们在此报道了对三层超导体异常超导性质微观起源的揭示。我们首次在Bi2Sr2Ca2Cu3O10+d（Bi2223）超导体中观测到三层分裂。观测到的费米面、能带结构、超导能隙以及选择性的Bogoliubov能带杂化均可由三层相互作用模型很好地描述。我们提取了涉及层内与层间跳跃及配对的微观过程的定量信息。揭示了Bi2223中最大Tc的电子起源以及过掺杂区高Tc持续性的原因。这些结果为理解高温Tc超导性提供了关键见解，并为进一步提高铜基超导体中的Tc铺平了道路。
引用
@article{arxiv.2210.06348,
title = {Electronic Origin of High-Tc Maximization and Persistence in Trilayer Cuprate Superconductors},
author = {Xiangyu Luo and Hao Chen and Yinghao Li and Qiang Gao and Chaohui Yin and Hongtao Yan and Taimin Miao and Hailan Luo and Yingjie Shu and Yiwen Chen and Chengtian Lin and Shenjin Zhang and Zhimin Wang and Fengfeng Zhang and Feng Yang and Qinjun Peng and Guodong Liu and Lin Zhao and Zuyan Xu and Tao Xiang and X. J. Zhou},
journal= {arXiv preprint arXiv:2210.06348},
year = {2024}
}