ASDEX Upgrade 不同芯部温度实验中的电子跑脱
等离子体物理
2021-05-10 v3
摘要
在 ASDEX Upgrade 材料注入实验中，显著的破裂后跑脱电子电流的形成由少量跑脱电子种子群体的雪崩倍增决定。为研究这些情形，耦合的 1.5D 输运求解器 ASTRA-STRAHL 的跑脱电子描述被一个描述由热尾机制引起的电子跑脱的流体模型所补充。在 ASDEX Upgrade 放电 #33108 的背景等离子体演化、材料注入和跑脱电子生成的联合模拟中，Dreicer 与热尾两种电子跑脱机制仅产生约 3 kA 的跑脱电流。在芯部电子温度 低于 9 keV 的较冷等离子体中，破裂后跑脱电流预计对初始温度不敏感，与实验观测一致。然而在 的较热等离子体中，热尾跑脱可增加多达一个数量级，对总破裂后跑脱电流有显著贡献。但在 ASDEX Upgrade 高温跑脱实验中，尽管一次与二次跑脱条件均有利，破裂结束时未观测到跑脱电流。
引用
@article{arxiv.2101.04471,
title = {Electron runaway in ASDEX Upgrade experiments of varying core temperature},
author = {O. Linder and G. Papp and E. Fable and F. Jenko and G. Pautasso and the ASDEX Upgrade Team and the EUROfusion MST1 Team},
journal= {arXiv preprint arXiv:2101.04471},
year = {2021}
}
备注
26 pages, 11 figures; published in the Journal of Plasma Physics