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逃逸电子尾部的凸起形成

等离子体物理 2015-03-17 v2

摘要

逃逸电子在平行电场超过临界值时在磁化等离子体中产生。对于能量通常达到数十MeV的此类电子,作为对同步辐射反作用的阿布拉罕-洛伦兹-狄拉克(ALD)辐射力显著,并可成为限制电子加速的主导过程。使用相对论有限差分Fokker-Planck代码LUKE [Decker & Peysson, Report EUR-CEA-FC-1736, Euratom-CEA, (2004)]和CODE [Landreman et al, Comp. Phys. Comm. 185, 847 (2014)]研究了均匀等离子体中ALD力对逃逸电子动力学的影响。在ALD力作用下,我们发现如果电场足够大,在电子分布函数尾部会形成凸起。我们还观察到凸起中逃逸电子的能量随电场幅度增加而增加,而粒子数随体电子温度升高而增加。凸起的存在将电子分布分为逃逸电子束和体粒子群。该机制可能引发束-等离子体类型的不稳定性,进而从逃逸电子抽取能量并改变其约束。

关键词

引用

@article{arxiv.1503.03881,
  title  = {Bump formation in the runaway electron tail},
  author = {J. Decker and E. Hirvijoki and O. Embreus and Y. Peysson and A. Stahl and I. Pusztai and T. Fülöp},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1503.03881},
  year   = {2015}
}