基于角分辨偏振拉曼光谱的拓扑绝缘体硅碟中的电子-声子相互作用与张量分析
材料科学
2025-02-24 v1
摘要
我们报告了对单晶硅碟中利用经典和量子方法进行的角分辨偏振拉曼光谱及其拉曼张量元素估计。观察到的极化图样以及四种特征拉曼活性模态相对强度系统性变化，指示出c轴方向上存在更大的微分极化率，伴随各向异性的光子-声子相互作用。这种电子-光子-声子相互作用的相互作用对于理解硅碟的晶格动力学至关重要，这些晶格动力学支撑了其热电性能和拓扑性质。
引用
@article{arxiv.2502.15314,
title = {Electron-phonon interactions and tensor analysis in topological insulator bismuth telluride using angle resolved polarized Raman spectroscopy},
author = {Aditya Singh and Anna Elsukova and Divya Rawat and Saswata Talukdar and Surajit Saha and Arnaud le Febvrier and Per O. Å. Persson and Per Eklund and Ajay Soni},
journal= {arXiv preprint arXiv:2502.15314},
year = {2025}
}
备注
15 Pages, 4 Figures