CrSBr中的拉曼偏振切换
材料科学
2025-10-14 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
半导体CrSBr是一种层状A型反铁磁体，其各层沿堆叠方向反铁磁耦合。由于其独特的正交晶体结构，CrSBr表现出高度各向异性的力学和光电特性，本身可视为一种准一维材料。CrSBr展示了涉及声子、激子、磁振子和极化激元的复杂耦合现象。在此，我们通过偏振分辨的共振拉曼散射，展示了CrSBr的振动与电子特性之间复杂的相互作用。对于从少层到块材厚度的样品，我们观察到A拉曼模式的偏振方向可以旋转90度，根据激发能量的不同，从与晶体学a轴（中间磁轴）对齐转变为与b轴（易磁轴）对齐。相比之下，无论使用何种激光能量，A和A模式始终沿b轴偏振。我们在分析中获取了拉曼张量的实部和虚部，揭示了共振电子-声子耦合。
引用
@article{arxiv.2410.22164,
title = {Raman Polarization Switching in CrSBr},
author = {Priyanka Mondal and Daria I. Markina and Lennard Hopf and Lukas Krelle and Sai Shradha and Julian Klein and Mikhail M. Glazov and Iann Gerber and Kevin Hagmann and Regine v. Klitzing and Kseniia Mosina and Zdenek Sofer and Bernhard Urbaszek},
journal= {arXiv preprint arXiv:2410.22164},
year = {2025}
}
备注
Main text + Supplementary Information