半导体异质结构中的电子与自旋关联：量子Singwi-Tosi-Land-Sjolander 理论
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v1
摘要
我们应用量子Singwi-Tosi-Land-Sjolander (QSTLS) 理论来研究准二维电子液体(EL)在GaAs/AlxGa1-xAs异质结中的许多体效应。通过变分方法包含层厚度的效应。我们计算了密度、自旋密度静态结构因子、自旋相关的偶对分布函数(PDF)，并将结果与早期论文中给出的二维(2D) EL的结果进行比较。使用静态结构因子(SSF)，我们计算了各种动态关联函数，如自旋相关的局部场因子(LFF)和Q2D EL的有效势。我们还计算了使用不同近似法的2D和Q2D EL的逆静态介电函数。我们发现，有限厚度对介电函数的影响显著，在波数q的中间值处，QSTLS和STLS结果之间存在显著差异。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0508121,
title = {Electron and Spin Correlations in Semiconductor Heterostructures: Quantum Singwi-Tosi-Land-Sjolander Theory},
author = {Nguyen Thanh Son and Nguyen Quoc Khanh},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0508121},
year = {2007}
}
备注
13 pages, 10 figures