3DIC 封装系统中微互连的电迁移响应
应用物理
2019-05-27 v1 计算物理
摘要
在多层级三维集成封装中，由于不同尺寸焊料用量少和/或工艺条件的应用，三种主要微观结构可行。考虑了 Cu/Sn/Cu 低体积互连中二元化合物的热力学与动力学。我们表明电流拥挤效应可诱导驱动力，导致过剩空位饱和并最终以微孔形式聚集。采用多相场方法对电迁移介导的金属间化合物生长进行动力学分析。结果表明阳极层金属间化合物（IMCs）生长更快，而以阴极 IMC 层收缩为代价。本工作为计算研究 3DIC 低体积焊料互连中微孔形成引起的延性失效铺平了道路。
引用
@article{arxiv.1905.09901,
title = {Electromigration Response of Microjoints in 3DIC Packaging Systems},
author = {Vahid Attari and Thien Duong and Raymundo Arroyave},
journal= {arXiv preprint arXiv:1905.09901},
year = {2019}
}
备注
6 pages, 6 figures