室温下铝制结对势阱的电气后制造调谐

结对势阱是超导量子技术的关键元件，作为超导量子比特的核心构件。我们报告了在室温下对铝制结对势阱进行电气调谐的实验研究，表明电压脉冲可在保持量子比特质量因子超过一百万的同时，可可控地增加其电阻并调整结对能。我们发现，在操作期间，电阻增加的速率随脉冲幅度呈指数增长，而此后，随机电阻增加的速率与操作量成正比。我们进一步表明，这种随机电阻增加在低温下会停止，在室温下又会重新发生。通过采用分步调制方案，我们实现了结对电阻增加了最高270%，对应量子比特跃迁频率降低了近2 GHz。这些结果确立了电气调谐的可实现范围、松弛行为及实际限制，使后制造频率拥堵的量子处理器的调谐成为可能。