在毫米波照射下的Josephson隧结二极管中的共振逃逸
超导电性
2024-11-25 v1
摘要
微波驱动的Josephson二极管跨越的超导相位差的动力学现在广泛应用于超导量子比特和量子电路。对于具有数GHz能级间隔频率的量子设备，需将其冷却至基态以下100mK。将超导量子比特的工作频率提高上限，可能允许在1K甚至更高温度下工作。本文报告了在频率超过100GHz的毫米波辐射下，对 niobium/aluminum-aluminum oxide/niobium Josephson二极管的切换电流进行测量。观察到的切换电流分布显示出明显的双峰结构，这源于Josephson相位从平稳态的共振逃逸。我们表明，数据可通过包括辐射引起势垛抑制的强驱动模型得到很好的解释。虽然仍在准经典范式内测量，但我们的结果指向在约100GHz下工作相位比特的可行性。
引用
@article{arxiv.2411.15048,
title = {Resonant escape in Josephson tunnel junctions under millimeter-wave irradiation},
author = {J. N. Kämmerer and S. Masis and K. Hambardzumyan and P. Lenhard and U. Strobel and J. Lisenfeld and H. Rotzinger and A. V. Ustinov},
journal= {arXiv preprint arXiv:2411.15048},
year = {2024}
}