单层 WS$_2$ 中谷极化带电双激子的电学调控
介观与纳米尺度物理
2024-04-16 v1 材料科学
摘要
激子是范德华半导体光电应用的关键，具有多功能按需调控性质的潜力。然而，由于激子固有的电中性以及电学掺杂引入的额外损耗通道，其电学调控十分复杂。我们展示了单层二硫化钨中带电双激子（quinton）态谷极化的动态调控，在非共振激发下其圆极化度实现了高达六倍的提升。与通常在电学栅压调控下观察到的激子的弱直接调控不同，即使电子掺杂引起的散射增加，quinton 光致发光依然保持稳定。在激子共振处激发时，我们观察到随着栅压下电子掺杂的变化，带电态布居数出现可重复的非单调切换，这表明中性激子态与带电激子态之间存在相干相互作用。
引用
@article{arxiv.2404.09904,
title = {Electrical control of valley polarized charged biexcitons in monolayer WS$_2$},
author = {Sarthak Das and Ding Huang and Ivan Verzhbitskiy and Zi-En Ooi and Chit Siong Lau and Rainer Lee and Calvin Pei Yu Wong and Kuan Eng Johnson Goh},
journal= {arXiv preprint arXiv:2404.09904},
year = {2024}
}