在二维半导体中利用兰姆位移调控亮-暗激子分裂
介观与纳米尺度物理
2023-04-03 v1 材料科学
摘要
我们研究了基于原子级薄WSe2的范德瓦耳斯异质结构中激子的精细结构,其中半导体单层处的光学模式密度可调。亮激子与暗激子之间的能量分裂已通过光致发光光谱测得。我们证明,可被调控数meV,这是由真空涨落触发的虚光子的发射与吸收所引起的光学活性激子的显著兰姆位移所致。我们还测得亮激子辐射线宽因珀塞尔效应而强烈变化。这些实验结果均表明激子对局域真空场的强烈敏感性。我们发现,一个模型与实验符合极好,该模型证明了对于我们的系统,经典电动力学传输矩阵形式与量子电动力学方法等价。此处展示的亮-暗分裂调控应适用于任何半导体结构。
引用
@article{arxiv.2303.17880,
title = {Control of the Bright-Dark Exciton Splitting using Lamb Shift in a 2D Semiconductor},
author = {L. Ren and C. Robert and M. M. Glazov and M. A. Semina and T. Amand and L. Lombez and D. Lagarde and T. Taniguchi and K. Watanabe and X. Marie},
journal= {arXiv preprint arXiv:2303.17880},
year = {2023}
}