PrFeAsO0.8F0.2 超导体的电学与磁学行为

R S Meena; Anand Pal; K V R Rao; Hari Kishan; V. P. S. Awana

PrFeAsO0.8F0.2 超导体的电学与磁学行为

超导电性 2014-02-10 v3

作者: R S Meena , Anand Pal , K V R Rao , Hari Kishan , V. P. S. Awana

摘要

通过简便且通用的单步固相反应路线，合成了 PrFeAsO0.8F0.2 超导体样品和 PrFeAsO 基态样品。合成样品的 X 射线及 Rietveld 精修参数与先前报道的结构值吻合良好。原始化合物 (PrFeAsO) 的基态在 150 K 以下表现出类似金属的电阻率台阶，随后在 12 K 出现另一个台阶。前者与 Fe 自旋的自旋密度波 (SDW) 类有序有关，后者与 Pr 磁矩的反常磁有序有关。在超导 PrFeAsO0.8F0.2 样品中，这两种电阻率异常均消失。对超导 PrFeAsO0.8F0.2 样品进行了详细的高场（高达 12 Tesla）电学和磁化测量。PrFeAsO0.8F0.2 表现出约 47 K 的超导起始温度 (Tconset)，且零电阻临界温度 Tc({\rho} =0) 为 38 K。虽然 Tconset 基本保持不变，但 Tc({\rho} =0) 随外加磁场降低，在 12 Tesla 外加磁场下约为 23 K。通过 Ginzburg-Landau (GL) 方程拟合估算出上临界场 (Hc2) 约为 182 Tesla。利用 Bean 临界态模型，根据高场等温磁化 (MH) 回路计算出的临界电流密度 (Jc) 数量级为 10^3 A/cm^2。总之，本文展示了单步合成的 PrFeAsO0.8F0.2 超导体的超导特性表征。

关键词

PrFeAsO0.8F0.2 超导性固相反应临界电流密度上临界场自旋密度波磁化

引用

@article{arxiv.1308.3557,
  title  = {Electrical and Magnetic behaviour of PrFeAsO0.8F0.2 superconductor},
  author = {R S Meena and Anand Pal and K V R Rao and Hari Kishan and V. P. S. Awana},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1308.3557},
  year   = {2014}
}

备注

15 Pages Text + Figs

PrFeAsO0.8F0.2 超导体的电学与磁学行为

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