CoFeB-MgO 磁隧道结中电场诱导应变介导的磁电效应
介观与纳米尺度物理
2013-11-18 v1 材料科学
摘要
磁偶极子与电偶极子之间的磁电耦合是现代物理学开发最高能效磁数据存储的基石之一。传统上，磁电耦合是在单相多铁性材料或由铁磁材料与铁电/压电材料组成的磁电复合纳米结构中实现的。在此，我们利用动态磁电和压电响应力显微镜测量技术，在采用非压电材料的超薄 CoFeB/MgO 磁隧道结中演示了一种电场诱导的应变介导磁电效应，该结构对于自旋电子器件至关重要。我们表明，施加的电场在几原子层厚的介电 MgO 中诱导应变，该应变传递至磁致伸缩 CoFeB 层，从而在 -0.5 V 电压下产生高达 80.8 V cm⁻¹ Oe⁻¹ 量级的磁电效应。所演示的磁隧道结中电场诱导的应变介导磁电效应，是探索用于低功耗和高密度磁数据存储应用的磁电控制自旋电子器件的重要一步。
引用
@article{arxiv.1311.3794,
title = {Electric-field-induced strain-mediated magnetoelectric effect in CoFeB-MgO magnetic tunnel junctions},
author = {V. B. Naik and H. Meng and J. X. Xiao and R. S. Liu and A. Kumar and K. Y. Zeng and P. Luo and S. Yap},
journal= {arXiv preprint arXiv:1311.3794},
year = {2013}
}