电场增强 BN 片层上的储氢
材料科学
2016-12-28 v1
摘要
利用密度泛函理论，我们证明了外加电场通过极化氢分子和基底，显著改善了 BN 片层的储氢性能。在 0.05 a.u. 的电场下，单个 H2 分子的吸附能为 0.48 eV，而无电场时仅为 0.07 eV。当吸附单层 H2 分子时，每个 H2 分子的结合能从无电场情况下的 0.03 eV 增加到 0.045 a.u. 电场下的 0.14 eV/H2。相应的 7.5 wt % 质量密度符合美国能源部（DOE）设定的 2010 年 6 wt % 系统目标。一旦撤去外加电场，储存的 H2 分子即可被轻易释放，从而使得储氢过程可逆。
引用
@article{arxiv.0903.3079,
title = {Electric Field Enhanced Hydrogen Storage on BN Sheet},
author = {J. Zhou and Q. Wang and Q. Sun and P. Jena and X. S. Chen},
journal= {arXiv preprint arXiv:0903.3079},
year = {2016}
}
备注
submitted to Phys. Rev. Lett. 15 pages with 6 figures