反常项对两味 QCD 手征相变的影响

我们利用具有两味无质量交错费米子的强耦合格点 QED 来模拟两味无质量 QCD 中的 pion 物理。我们的模型具有正确的手征对称性，并且可以使用团簇算法进行高效研究。特别是，我们可以调节 QCD 反常项的强度，从而研究其对手征相变的影响。我们的研究证实了广泛接受的观点，即在不存在反常项的情况下，手征相变是一阶的。开启反常项会减弱相变，并在临界反常强度下使其转变为二阶相变。三临界点处的反常强度特征由 $r = (M_{\eta'}-M_{\pi})/\rho_{\eta'}$ 刻画，其中 $M_{\eta'}, M_{\pi}$ 分别是反常 pion 和常规 pion 的屏蔽质量，$\rho_{\eta'}$ 是支配反常对称性低能涨落的质量标度。我们估计在我们的模型中 $r \sim 7$。这表明在两味 QCD 手征相变处需要很强的反常项才能消除一阶相变。