表面处理对磁通可调transmon量子比特的影响
量子物理
2022-09-23 v1 材料科学
摘要
最先进固态量子处理器的主要限制之一是其局部环境噪声引起的量子比特退相干与弛豫。为使该领域迈向全容错量子计算，需要更好地理解潜在的微观噪声源。表面吸附物、界面杂质与材料缺陷已被确认为固态量子器件中噪声与耗散的来源。在此，我们使用超高真空封装研究真空加载、紫外光照射与离子辐照处理对磁通可调超导transmon量子比特相干性与慢参数涨落的影响。我们通过比较多量子比特个体及处理前后测量的平均值来分析每种表面处理的效果。所研究的处理未显著影响弛豫率 与回波退相位率 ，除Ne离子轰击降低了 外。相反，通过紫外光与NH处理去除芯片表面的磁性吸附物可改善磁通噪声参数。此外，我们证明SF离子轰击可用于在制造后原位调节量子比特频率而不影响甜点处的量子比特相干性。
引用
@article{arxiv.2103.07970,
title = {Effects of surface treatments on flux tunable transmon qubits},
author = {M. Mergenthaler and C. Müller and M. Ganzhorn and S. Paredes and P. Müller and G. Salis and V. P. Adiga and M. Brink and M. Sandberg and J. B. Hertzberg and S. Filipp and A. Fuhrer},
journal= {arXiv preprint arXiv:2103.07970},
year = {2022}
}