锰掺杂对 BaTiO$_3$ 电子结构的影响
材料科学
2014-12-24 v1
摘要
Mn 常被用作掺杂剂以改善钙钛矿氧化物的机电性能。我们阐明了 Mn 缺陷及相关空位对 BaTiO 电子、原子及铁电性质的作用。利用密度泛函理论 (DFT) 和 DFT+U，我们研究了位于 A 位或 B 位的 Mn 离子在补偿氧空位存在下的平衡几何构型和电子性质。我们考察了 Mn 氧化态随局部环境变化（如氧空位的存在）而发生的改变。
引用
@article{arxiv.1412.7458,
title = {Effects of Manganese Addition on the Electronic Structure of BaTiO$_3$},
author = {J. F. Nossa and Ivan I. Naumov and R. E. Cohen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1412.7458},
year = {2014}
}