AB 磁通与能隙对磁性石墨烯量子点的影响

我们考虑磁性石墨烯量子点（MGQD），并研究 Aharonov-Bohm（AB）磁通和能隙对电子散射过程的影响。我们重点关注由量子点内电子与磁场相互作用产生的准束缚态的有限寿命。首先，我们通过确保自旋本征态在 MGQD 边界处的连续性，计算了散射系数、散射效率和概率密度。结果表明，随着能隙增大，准束缚态达到更高的极大值。我们证明，AB 磁通的增加导致产生准束缚态所需的磁场减小，且散射效率在更小的 MGQD 尺寸下开始呈现非零值。对概率密度的分析表明，与非共振激发散射模式相对应的准束缚态在 MGQD 处的集中密度有显著改善。这种改善是通过增加 AB 磁通和能隙来减少衍射现象并抑制 Klein 效应的结果。这增加了电子被保留更长时间的概率。