规则颗粒金属阵列的有效充电能

我们研究了由电导率为 $g$ 的隧道结耦合的规则金属晶粒阵列的 Ambegaokar-Eckern-Schön (AES) 模型，并计算了电导率 Kubo 公式中的顺磁和抗磁项。我们通过解析方法发现，并通过数值路径积分 Monte Carlo 方法证实，当温度足够低时，对于 $0<g<4$，由于顺磁和抗磁项中 $T^2$ 非弹性共隧穿贡献的微妙抵消，电导率遵循 Arrhenius 定律 $\sigma(T)\sim\exp[-E^{*}(g)/T]$，其中具有有效充电能 $E^{*} (g)$。我们给出了有效充电能的数值结果，并将结果与近期的理论分析进行了比较。我们讨论了实验观察到的 $\sigma(T)\sim\exp[-\sqrt{T_{0}/T}]$ 定律可能归因于无序的不同方式。