Born-Infeld参数对高维霍金辐射的影响
广义相对论与量子宇宙学
2012-02-16 v3
摘要
我们详细展示了，对于各种理论中的高维线性膨胀黑洞，由表面引力计算出的霍金温度与精确的半经典辐射谱结果一致。我们将Clément-Fabris-Marques针对四维线性膨胀黑洞解的方法推广到更高维度，涉及的理论包括爱因斯坦-麦克斯韦-膨胀子、爱因斯坦-杨-米尔斯-膨胀子以及爱因斯坦-杨-米尔斯-Born-Infeld-膨胀子。与Clément-Fabris-Marques的结果类似，我们证明，只要在高维有质量线性膨胀黑洞背景下存在无质量标量波动方程的解析解，对辐射谱的精确计算就能在高频区域得到霍金温度。我们明确展示了维度对值的重要性。对于选定的维度，我们演示了高维线性膨胀黑洞如何通过改变Born-Infeld参数，在可测量量方面，在具有杨-米尔斯场和电磁场的黑洞解之间进行插值。最后，我们解释了为什么无质量的高维线性膨胀黑洞无法辐射。
引用
@article{arxiv.0902.0666,
title = {Effect of the Born-Infeld Parameter in higher dimensional Hawking radiation},
author = {S. Habib Mazharimousavi and I. Sakalli and M. Halilsoy},
journal= {arXiv preprint arXiv:0902.0666},
year = {2012}
}
备注
2 Figures. (The misinformation about its previous version (v2) is eliminated.)