二次电子发射对高压脉冲放电中亚纳秒击穿的影响
等离子体物理
2017-12-06 v1
摘要
通过实验和动力学模拟，研究了氦气中高中压条件下高压脉冲放电中的亚纳秒击穿。结果表明，电流增长的特征时间可由二次电子发射控制。我们测试了由钛、碳化硅和 CuAlMg 合金制成的三种阴极材料的二次电子产额对等离子体参数的影响。通过改变脉冲电压幅值和气压，确定了亚纳秒击穿的存在区域。
引用
@article{arxiv.1612.03829,
title = {Effect of secondary electron emission on subnanosecond breakdown in high-voltage pulse discharge},
author = {I V Schweigert and A L Alexandrov and P Gugin and M Lavrukhin and P A Bokhan and Dm E Zakrevsky},
journal= {arXiv preprint arXiv:1612.03829},
year = {2017}
}
备注
6 pages, 7 figures