GaAs/AlAs 异质结构中量子点形状对层间空穴光吸收的影响
介观与纳米尺度物理
2013-10-07 v1
摘要
基于 4x4 哈密顿量，研究了 AlAs 半导体基体中 GaAs 量子点的形状对由层间电荷跃迁引起的空穴能谱和光学性质的影响。计算在微扰理论框架下进行，考虑了立方体、椭球体、圆柱体和四面体形状在改变量子点体积时的态杂化效应。基于能量计算和确定的空穴态波函数，我们定义了选择定则，并确定了层间空穴吸收系数对量子点形状和体积的依赖关系。
引用
@article{arxiv.1310.1232,
title = {Effect of quantum dot shape of the GaAs/AlAs heterostructure on interlevel hole light absorption},
author = {V. I. Boichuk and I. V. Bilynskyi and O. A. Sokolnyk and I. O. Shakleina},
journal= {arXiv preprint arXiv:1310.1232},
year = {2013}
}
备注
10 pages, 6 figures