PVA 掺杂对块体 MgB2 磁通钉扎的影响
超导电性
2009-11-13 v1 强关联电子
摘要
本文报道了 PVA（聚醋酸乙烯酯）掺杂块体 MgB2 超导体的合成与表征。PVA 被用作碳源。PVA 掺杂产生了两个可区分的贡献：首先是 Jc 场性能的提升，其次是 Hc2 值的增加，这两者均归因于碳掺入 MgB2 晶格。磁化率测量显示 Tc 从 37 K 降至 36 K。由于硼位点被碳部分取代，晶格参数 a 从 3.085 A 减小至 3.081 A。PVA 掺杂样品在 5 K 和 10 K 低场下表现出大于 10^5 A/cm2 的 Jc 值，几乎是纯样品的 3 倍；而在高场下，其 Jc 相比纯 MgB2 提高了一个数量级。从 R(T)H 测量中，我们发现掺杂样品在磁场下具有更高的 Tc 值，表明 Hc2 增加。此外，磁化测量显示出 Hirr 值的显著增强。PVA 掺杂 MgB2 性能的提升可归因于母体 MgB2 中硼位点的碳取代及其对载流子密度和杂质散射的影响。从减小的磁通钉扎力图可以清楚地看到改善的磁通钉扎行为。
引用
@article{arxiv.0708.3885,
title = {Effect of PVA doping on flux pinning in Bulk MgB2},
author = {Arpita Vajpayee and V. P. S. Awana and S. Balamurugan and E. Takayama-Muromachi and H. Kishan and G. L. Bhalla},
journal= {arXiv preprint arXiv:0708.3885},
year = {2009}
}
备注
14 Pages of Text + Figs. To appear in Physica C