局部结合对离子通道随机输运的影响

离子库仑阻塞（ICB）是近期在低电容离子通道/纳米孔中发现的一种静电现象。取决于存在的固定电荷，ICB强烈且选择性地影响给定类型离子渗透孔道的难易程度。该现象源于电荷载流子的离散性、介电自能、静电排斥原理以及孔道的逐步中和，并且对二价离子（如Ca$^{2+}$）表现尤为显著。离子库仑阻塞与量子点中的电子库仑阻塞高度类似。除了标准库仑阻塞方法中考虑的非局域一维库仑相互作用外，我们现在提出一项修正，以考虑吸引结合位点的奇异部分（即局部位点结合）。我们证明该修正导致其中一个无势垒共振导电点M$_0^{CB}$发生依赖于几何构型的偏移。我们还表明，局部离子-离子排斥解释了先前在布朗动力学模拟中观察到的Ca$^{2+}$分布的分裂现象。