3d 掺杂对 BaFe2As2 电子结构的影响
材料科学
2012-05-11 v1 超导电性
摘要
尽管已通过多种实验和理论方法研究了掺杂 Co、Ni 和 Cu 的 BaFe2As2 的电子结构，但关于掺杂剂 3d 态的清晰图像尚未形成。在此，我们提供了价带中 Co、Ni 和 Cu 3d 态分布的实验证据。我们得出结论：Co 和 Ni 3d 态向费米能级提供了额外的自由载流子，而 Cu 3d 态则位于价带底部的局域化 3d10 壳层中。这些发现有助于阐明为何超导性出现在掺杂 Co 和 Ni 的 BaFe2As2 中，而未出现在掺杂 Cu 的体系中。
引用
@article{arxiv.1204.2563,
title = {Effect of 3d-doping on the electronic structure of BaFe2As2},
author = {J. A. McLeod and A. Buling and R. J. Green and T. D. Boyko and N. A. Skorikov and E. Z. Kurmaev and M. Neumann and L. D. Finkelstein and N. Ni and A. Thaler and S. L. Bud'ko and P. C. Canfield and A. Moewes},
journal= {arXiv preprint arXiv:1204.2563},
year = {2012}
}
备注
18 pages, 8 figures