低温等离子体中H原子表面复合动力学
等离子体物理
2022-11-30 v1
摘要
在长期的低压 H2 等离子体暴露下，研究了与 EUV 光刻机关注材料相关的 H 原子表面复合动力学。通过二维 PIC MC 仿真，证明了实验等离子体与被 EUV 诱导的、作用于多层镜（MLMs）表面的典型等离子体具有相似性。选取 H 原子表面损失概率的时间动力学测量来检验处理过程中的表面改性。以 Kr 为示踪气体对 H 原子进行时间分辨 actinometry，用于探测 Al、Ru、RVS 与 SiO2 表面上 H 原子损失概率的动力学。结果表明，材料表面的显著变化仅发生在处理的最初期，且归因于表面加热与清洗效应。此后未发现有 H 复合速率的变化，表明表面保持绝对稳定。对所使用方法表面状态灵敏度的专项测试表明，少量 O2 添加时 H 复合速率的动力学变化清晰展示了 Al 表面因氧化发生的改性，以及随后被 H2 等离子体处理去除氧的过程。氧化物的去除速率被证明由等离子体参数（如离子能量与到达表面的离子通量）决定。
引用
@article{arxiv.2206.04391,
title = {Dynamics of H atoms surface recombination in low-temperature plasma},
author = {V. Gubarev and D. Lopayev and A. Zotovich and M. A. Blauw and V. Medvedev and P. Krainov and D. Astakhov and S. Zyryanov},
journal= {arXiv preprint arXiv:2206.04391},
year = {2022}
}