铜中激发电子的动力学：阿贡电子的作用

在基于玻尔兹曼方程的理论模型中，我们详细分析了最近在铜中松弛时间中观察到的异常峰结构。特别是我们讨论了阿贡电子在电子动力学中的作用及其对d轨道空位寿命、光学跃迁矩阵元以及激光脉冲持续时间的依赖性。我们发现，阿贡贡献对d空位寿命τ_h和激光脉冲持续时间τ_l都非常敏感，可表示为τ_l/τ_h的单调函数。我们发现对于给定的τ_h，脉冲持续时间较短时，阿贡贡献显著小于较长脉冲持续时间时。我们表明，峰处的松弛时间与d空位寿命呈线性关系，但有趣的是并不取决于产生的阿贡电子数量。我们提供了一个简单的表达式来描述激发电子的松弛时间，其形状可通过相空间论述理解，�幅由d空位寿命所支配。我们还发现，峰的高度取决于光学跃迁矩阵元之比R=|M_{d→sp}|^2/|M_{sp→sp}|^2以及激光脉冲持续时间。假设R=2且d空位寿命为τ_h=35 fs，我们计算得到的峰高Delta tau_{th}=14 fs，与Delta tau_{exp}≈17 fs（针对多晶铜测得）相当。