激活逃逸动力学及其在半导体激光器中的观测
统计力学
2009-10-31 v1
摘要
我们报告了对涨落系统从亚稳态逃逸越过势垒的轨迹分布的直接实验观测，并提供了相应的理论。实验结果来自具有光反馈的半导体激光器。路径分布呈现一个明显的峰，显示逃逸系统最可能的运动方式。我们认为该分布的特定特征可为理解激光器中的辍落事件本质提供线索。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0002036,
title = {Dynamics of Activated Escape, and Its Observation in a Semiconductor Laser},
author = {J. Hales and A. Zhukov and R. Roy and M. I. Dykman},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0002036},
year = {2009}
}
备注
Submitted to PRL 11Jan00